KIOXIA stuzzica il futuro degli SSD. L'azienda di chip di memoria mira a scalare la memoria flash fino a una bestia da 1000 strati, inaugurando SSD NVMe di futura generazione con capacità folli da 20 TB… in vendita a soli $ 250.
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L'azienda ha annunciato i suoi obiettivi al recente International Memory Workshop tenutosi a Seoul, Corea del Sud. Durante il suo discorso principale, KIOXIA ha spiegato come la flash NAND 3D abbia fatto rapidi progressi negli ultimi anni e che la quantità di storage in un chip da un millimetro quadrato sia cresciuta di 10 volte in soli 8 anni.
KIOXIA ha evidenziato che questo avviene tramite il processo di impilamento, con più strati di celle di memoria stipate insieme in una pila verticale, motivo per cui si chiama 3D NAND. Ogni singolo strato di memoria è piccolo, il che mantiene elevate le rese dei wafer e ne mantiene la produzione economica. Ecco perché abbiamo SSD da 2 TB superveloci a meno di $ 150, il che sarebbe stato un sogno negli anni passati.
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Allo stato attuale, i chip flash più grandi di KIOXIA hanno 162 strati, con modelli a 218 strati in arrivo a breve. Samsung ha pubblicizzato la sua flash NAND 3D a 1000 strati per gli SSD di futura generazione, che il gigante della memoria sudcoreano prevede di lanciare sul mercato nel 2027.
KIOXIA punta a ridurre la densità di bit a 100 Gb per millimetro quadrato, il che è piuttosto stipato… considerando che al momento siamo a 20-30 Gb per millimetro quadrato. Se torniamo indietro nel tempo, eravamo a meno di 1 Gb per millimetro quadrato, quindi il futuro sembra molto luminoso. SSD ultraveloci da 20 TB di nuova generazione a meno di $ 250 suonano… piuttosto sorprendenti per me.
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